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浙江省2014年4月自学考试02340线性电子电路试题
浙江省2014年4月高等教育自学考试
线性电子电路试题
课程代码：02340
一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。错涂、多涂或未涂均无分。
1.在本征半导体中掺入微量三价元素形成的杂质半导体，其多数载流子是
A.正离子 B.负离子
C.空穴 D.自由电子
2.锗材料二极管正向导通时，在管子上的正向电压为
A.0.2V B.0.7V
C.-0.2V D.-0.7V
3.晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该晶体管处于______状态。
A.零偏 B.反偏
C.正偏 D.无法确定
4.如题4图，在晶体三极管的三个电极C、E、B中，已知IE=3mA，IC=2.95mA，则IB为
A.3.05mA
B.2.95mA
C.3mA
D.0.05mA 题4图
5.晶体三极管工作在放大区时，要求
A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结正偏，集电结正偏
C.发射结反偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结正偏
6.运算放大器电路如图所示，输入电压ui=2.5V，则输出电压uO等于
A.2.5V
B.正饱和值
C.负饱和值
D.0
7.场效应管的工作特点是
A.输入电流控制输出电流 B.输入电压控制输出电压
C.输入电压控制输出电流 D.输入电流控制输出电压
8.衡量场效应管控制能力的主要参数是
A.电流放大倍数 B.电压放大倍数
C.跨导 D.转移电阻
9.某放大电路的增益为100，则折算成dB数为
A.60dB B.80dB
C.100dB D.40dB
10.在差动放大电路中，有差模放大倍数Avd和共模放大倍数Avc，性能好的差动放大器应
A.Avd等于Avc B.Avd大而Avc要小
C.Avd小而Avc要大 D.近似相等
11.已知某一放大器的A=1000，现要求引入负反馈后，增益Af=100，问反馈系数kf应为多少?
A.0.01 B.0.05
C.0.09 D.0.10
12.交流负反馈对放大器的影响是
A.改善放大器动态性能 B.稳定静态工作点
C.改善放大器动态性能和稳定静态工作点 D.性能没有改变
13.某场效应管，在漏、源电压VDS保持不变的情况下，栅、源电压UGS变化3V时，相应的漏极电流变化6mA，该管的跨导是
A.2mA/V B.0.5V/mA
C.无法确定 D.12mA/V
14.题14图所示电路的反馈方式是
A.电压串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈
D.电流并联负反馈
15.理想运算放大器的输入、输出阻抗是 题14图
A.输入电阻高，输出电阻低 B.输入电阻低，输出电阻高
C.输入电阻及输出电阻均低 D.输入电阻及输出电阻均高
二、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分)
16.在本征半导体中，掺入微量三价元素，构成的是______型半导体。
17.晶体二极管是由PN结组成的，其中接到P型半导体的引线称为______。
18.正常工作时，JFET中的PN结必须外加______电压。
19.晶体三极管有三种工作模式，分别是放大模式，饱和模式和______模式。
20.场效应管则是一种电压型控制器件，是指栅源电压控制______电流。
21.放大器的失真根据其产生的机理不同，可分为______失真和非线性失真两大类。
22.场效应管放大电路有三种基本组态，分别是：共源、______和共栅。
23.负反馈的四种组态分别是电压串联负反馈、______、电压并联负反馈、电流并联负反馈。
24.若要集成运放工作在非线性区，则必须引入______反馈或者无反馈。
25.满足理想化条件的集成运放应具有无限大的差模输入电阻、趋于零的______、无限大的差模电压增益和共模抑制比、无限大的频带宽度以及趋于零的失调和漂移。
三、简答题(本大题共3小题，每小题5分，共15分)
26.在题26图所示的二极管限幅电路中，输入电压为正弦波，其幅值为8V，试画出输出电压的波形。
题26图
27.根据题27图所示的输出特性曲线，判断它是什么类型什么沟道的MOSFET？如果是增强MOSFET，请说出它的开启电压UGS(th)，如果是耗尽型MOSFET，请写出它的夹断电压UGS(off)及饱和漏极电流IDSS。
题27图
28.题28图，若UCC=12V，UBB=6V，R1=10kΩ，R2=47kΩ，RC=1kΩ，晶体管的β=40。问输入UB为10V时晶体管的工作状态。
题28图
四、分析计算题(本大题共5小题，每小题9分，共45分)
29.题29图所示，电路如图所示，已知晶体管T的β=50，UBE=0.7V，RB1=30kΩ，RB2=20kΩ，RC=4kΩ，RE=4kΩ，UCC=12V，试估算静态工作点IB、IC、UCE。
题29图
30.题30图所示，已知晶体管T的β=100，RB=5kΩ，RC=5.8kΩ，VCC=12V，u=10sinωtmV，rbe=2.6kΩ.（1）画出该电路的小信号等效模型；（2）求三极管的交流电流ib、ic和电压uce的表达式。
题30图
31.如题31图所示恒压源电路，电路参数如图中所示。试求IZ，I2和UO的值。
题31图
32.题32图所示差分放大电路，设各晶体管的特性相同，β=40，VBE(on)=0.7V，RB=10kΩ，RC=10kΩ，RE=10kΩ，UCC=6V，UEE=6V，rbe=3kΩ，输入电压ui1=7mV，输出电压ui2=3mV。
（1）把输入电压ui1、ui2分解成共模分量uic1、uic2和差模分量uid1、uid2;
（2）单端共模输出电压uoc1、uoc2;
（3）单端差模输出电压uod1、uod2;
（4）双端共模输出电压uoc、差模输出电压uod。
题32图
33.题33图电路。（1）R4引入深度负反馈，说明反馈类型；（2）求闭环电压放大倍数Auf。
题33图
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线性电子电路试题
课程代码：02340
一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。错涂、多涂或未涂均无分。
1.在本征半导体中掺入微量三价元素形成的杂质半导体，其多数载流子是
A.正离子 B.负离子
C.空穴 D.自由电子
2.锗材料二极管正向导通时，在管子上的正向电压为
A.0.2V B.0.7V
C.-0.2V D.-0.7V
3.晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该晶体管处于______状态。
A.零偏 B.反偏
C.正偏 D.无法确定
4.如题4图，在晶体三极管的三个电极C、E、B中，已知IE=3mA，IC=2.95mA，则IB为
A.3.05mA
B.2.95mA
C.3mA
D.0.05mA 题4图
5.晶体三极管工作在放大区时，要求
A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结正偏，集电结正偏
C.发射结反偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结正偏
6.运算放大器电路如图所示，输入电压ui=2.5V，则输出电压uO等于
A.2.5V
B.正饱和值
C.负饱和值
D.0
7.场效应管的工作特点是
A.输入电流控制输出电流 B.输入电压控制输出电压
C.输入电压控制输出电流 D.输入电流控制输出电压
8.衡量场效应管控制能力的主要参数是
A.电流放大倍数 B.电压放大倍数
C.跨导 D.转移电阻
9.某放大电路的增益为100，则折算成dB数为
A.60dB B.80dB
C.100dB D.40dB
10.在差动放大电路中，有差模放大倍数Avd和共模放大倍数Avc，性能好的差动放大器应
A.Avd等于Avc B.Avd大而Avc要小
C.Avd小而Avc要大 D.近似相等
11.已知某一放大器的A=1000，现要求引入负反馈后，增益Af=100，问反馈系数kf应为多少?
A.0.01 B.0.05
C.0.09 D.0.10
12.交流负反馈对放大器的影响是
A.改善放大器动态性能 B.稳定静态工作点
C.改善放大器动态性能和稳定静态工作点 D.性能没有改变
13.某场效应管，在漏、源电压VDS保持不变的情况下，栅、源电压UGS变化3V时，相应的漏极电流变化6mA，该管的跨导是
A.2mA/V B.0.5V/mA
C.无法确定 D.12mA/V
14.题14图所示电路的反馈方式是
A.电压串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈
D.电流并联负反馈
15.理想运算放大器的输入、输出阻抗是 题14图
A.输入电阻高，输出电阻低 B.输入电阻低，输出电阻高
C.输入电阻及输出电阻均低 D.输入电阻及输出电阻均高
二、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分)
16.在本征半导体中，掺入微量三价元素，构成的是______型半导体。
17.晶体二极管是由PN结组成的，其中接到P型半导体的引线称为______。
18.正常工作时，JFET中的PN结必须外加______电压。
19.晶体三极管有三种工作模式，分别是放大模式，饱和模式和______模式。
20.场效应管则是一种电压型控制器件，是指栅源电压控制______电流。
21.放大器的失真根据其产生的机理不同，可分为______失真和非线性失真两大类。
22.场效应管放大电路有三种基本组态，分别是：共源、______和共栅。
23.负反馈的四种组态分别是电压串联负反馈、______、电压并联负反馈、电流并联负反馈。
24.若要集成运放工作在非线性区，则必须引入______反馈或者无反馈。
25.满足理想化条件的集成运放应具有无限大的差模输入电阻、趋于零的______、无限大的差模电压增益和共模抑制比、无限大的频带宽度以及趋于零的失调和漂移。
三、简答题(本大题共3小题，每小题5分，共15分)
26.在题26图所示的二极管限幅电路中，输入电压为正弦波，其幅值为8V，试画出输出电压的波形。
题26图
27.根据题27图所示的输出特性曲线，判断它是什么类型什么沟道的MOSFET？如果是增强MOSFET，请说出它的开启电压UGS(th)，如果是耗尽型MOSFET，请写出它的夹断电压UGS(off)及饱和漏极电流IDSS。
题27图
28.题28图，若UCC=12V，UBB=6V，R1=10kΩ，R2=47kΩ，RC=1kΩ，晶体管的β=40。问输入UB为10V时晶体管的工作状态。
题28图
四、分析计算题(本大题共5小题，每小题9分，共45分)
29.题29图所示，电路如图所示，已知晶体管T的β=50，UBE=0.7V，RB1=30kΩ，RB2=20kΩ，RC=4kΩ，RE=4kΩ，UCC=12V，试估算静态工作点IB、IC、UCE。
题29图
30.题30图所示，已知晶体管T的β=100，RB=5kΩ，RC=5.8kΩ，VCC=12V，u=10sinωtmV，rbe=2.6kΩ.（1）画出该电路的小信号等效模型；（2）求三极管的交流电流ib、ic和电压uce的表达式。
题30图
31.如题31图所示恒压源电路，电路参数如图中所示。试求IZ，I2和UO的值。
题31图
32.题32图所示差分放大电路，设各晶体管的特性相同，β=40，VBE(on)=0.7V，RB=10kΩ，RC=10kΩ，RE=10kΩ，UCC=6V，UEE=6V，rbe=3kΩ，输入电压ui1=7mV，输出电压ui2=3mV。
（1）把输入电压ui1、ui2分解成共模分量uic1、uic2和差模分量uid1、uid2;
（2）单端共模输出电压uoc1、uoc2;
（3）单端差模输出电压uod1、uod2;
（4）双端共模输出电压uoc、差模输出电压uod。
题32图
33.题33图电路。（1）R4引入深度负反馈，说明反馈类型；（2）求闭环电压放大倍数Auf。
题33图
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